近期，Wolfspeed、英飞凌、安森美、天岳先进、三安光电等国内外头部SiC（碳化硅）半导体企业陆续发布2025年半年度报告或季报。数据显示，国内企业借SiC东风快速崛起，国际巨头则因转型缓慢面临挑战。这场由技术革新引发的市场变局，不仅重塑行业竞争格局，也为相关产业链带来新的发展契机。
多位业内人士在接受《中国经营报》记者采访时表示，当前SiC对IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的替代进程已进入关键阶段，国内功率半导体企业凭借技术追赶和成本优势，正在全球市场中占据更有利的位置，而国际巨头若不能加快转型步伐，或将面临市场份额被蚕食的风险。这种此消彼长的态势，预示着2025年将成为决定行业未来走向的重要转折点。
SiC 价格雪崩式下跌
SiC作为第三代半导体的核心材料，凭借其优异的物理特性，在新能源汽车、光伏储能和5G通信等领域展现出广阔的应用前景。
进入 2025 年，SiC 市场价格走势成为行业关注焦点。自年初以来，SiC 器件价格呈现雪崩式下跌，部分产品价格已低于传统 IGBT，这一现象加速了SiC对IGBT 的替代进程。市场研究机构数据显示，2025 年第一季度，6英寸SiC 衬底平均价格较去年同期下降 40%，从年初的4000—4500元/片降至 2500—2800 元 / 片，已逼近部分企业成本线。而在模块市场，国产 6 并碳化硅模块（6个并联的碳化硅模块）价格已低至 1500 元，国际厂商同类产品也降至 2000 元以内。
实际上，近几年 SiC 衬底的价格在持续走低。从天岳先进披露的数据来看，其销售的衬底价格也持续下跌，2022—2024年，该公司碳化硅衬底的销量分别为6.38万片、22.63万片、36.12万片，但平均售价分别为每片5110.4元、4798.0元、4080.1元。
在业内人士看来，价格大幅下跌主要归因于供需关系发生了变化。一方面，随着新能源汽车、光伏储能等下游市场此前对 SiC 需求呈现井喷式增长，外加过去几年大量资本涌入 SiC 产业，促使产能迅速扩张。2024 年国内 6 英寸 SiC 衬底产能同比增长 40%，全球范围内 SiC 晶圆有效产能从 2022 年的 46 万片（折合 6 英寸）激增至 2025 年的 390 万片。另一方面，市场需求在经历前期爆发后，增长速度有所放缓。2025年全球SiC 衬底需求量预计为250万—300万片，供过于求局面加剧了价格竞争。
鹿客岛科技创始人兼CEO卢克林表示，价格雪崩只是“产能堰塞湖”泄洪，不是常态。6英寸SiC衬底良率已破70%，国内月产能冲到60万片，短期杀价清库存，但衬底仍占芯片成本的45%，再跌就击穿现金成本。预计到2026年第二季度价格将触底，之后随着汽车主驱模块上车高峰回弹，预计仅比IGBT贵10%—15%，靠系统节电优势维持。中长期看，降价将把行业推入“性能冗余”时代。
在新智派新质生产力会客厅联合创始发起人袁帅看来，2025年SiC价格出现雪崩式下跌且部分产品价格低于IGBT，这种价格走势是否持续将受到多方面因素的综合影响。从短期来看，价格下跌可能是市场供需关系调整的结果。随着SiC生产技术的不断进步和产能的逐步释放，供应量大幅增加，而市场需求在初期可能未能同步快速增长，导致供过于求，价格下滑。然而，从中长期视角分析，价格走势存在不确定性。一方面，若SiC在新能源汽车、光伏储能等领域的应用持续拓展，市场需求将持续增长，且生产成本的降低速度跟不上需求增长的速度，价格可能会止跌回升。另一方面，如果技术突破使得生产成本进一步大幅下降，或者竞争对手推出更具性价比的替代产品，价格可能会继续维持在较低水平甚至进一步下跌。
海内外市场冰火两重天
随着 SiC 价格不断下探，SiC正在全面替代 IGBT，海内外的相关企业业绩表现呈现冰火两重天的局面。国际功率半导体巨头如 Wolfspeed，曾是 SiC 领域的领军企业，但由于过度激进的扩产策略以及市场竞争加剧，陷入严重财务困境。2025 年，Wolfspeed 因债务危机申请破产保护，其 8 英寸晶圆厂产能利用率仅 20%—25%，市场份额被竞争对手蚕食。同样面临挑战的还有英飞凌、意法半导体等企业，尽管在高端车规级 SiC 市场仍占据一定优势，但受国产 SiC 产品低价冲击，利润率下降至 20% 以下。
相比之下，国内功率半导体企业借助本土产业链优势和政策支持，在 SiC 领域取得了快速发展。以比亚迪半导体为例，作为国内较早布局 SiC 产业的企业之一，已实现 SiC 衬底、外延、芯片及模块的全产业链自主研发与生产。2025 年上半年，比亚迪半导体 SiC 业务营收同比增长 200%。此外，斯达半导、华润微、宏微科技等企业也在 SiC 领域积极布局，取得了一系列技术突破和市场进展。其中，斯达半导的车规级 SiC 模块已实现批量供货，市场份额稳步提升；华润微的碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比实现高速增长，SiC 模块在汽车电子、光伏逆变等领域实现销售。
卢克林认为，虽然Wolfspeed 8英寸产线领先，但美国本土缺乏整车放量，衬底外销模式碰上跌价立刻库存高企；比亚迪半导体把SiC单管直接封装进“三合一”电驱，车规验证数据实时回流，三个月迭代一代，成本曲线比国际同行快两倍。海外IDM还在卖分立器件，国内已经把芯片做成模块，再把模块写成系统方案绑定整车厂，卖的是百公里电耗节省，不是裸片价格，业绩分化顺理成章。
袁帅补充道，国内政府出台了一系列鼓励功率半导体产业发展的政策，为国内企业提供了资金支持、税收优惠等有利条件，促进了企业的快速发展。同时，国内形成了较为完整的功率半导体产业生态，上下游企业之间协同发展，为国内企业提供了良好的发展环境。而国际巨头所在的国家或地区的政策支持力度可能相对较小，产业生态的协同效应也不如国内明显，这在一定程度上影响了其业绩表现。
国内迎来黄金发展期
据Yole预测，2027年全球碳化硅功率器件市场规模将达到62.97亿美元；TrendForce数据显示，其2023—2028年复合年增长率（CAGR）高达25%；沙利文则进一步预测，2030年全球碳化硅衬底端市场规模将增长至人民币664亿元。
袁帅认为，近年来，国内企业在SiC技术研发和生产方面取得了显著进展，产品质量和性能不断提升，成本逐渐降低。国内庞大的市场需求为国内企业提供了广阔的发展空间，通过不断满足国内客户的需求，国内企业能够积累丰富的经验，提升自身的竞争力。同时，国内企业积极拓展海外市场，加强与国际客户的合作，有望在全球功率半导体市场中占据更大的份额，成为全球功率半导体产业的重要力量。
卢克林表示，2028年SiC将占功率半导体出货量的25%、金额的45%，硅基IGBT虽然将退至55%，但仍掌握量大价低底盘。中国厂商有望拿下全球35%的衬底、50%的器件和70%的模块产能，成为“第二供应商”首选。
“机会在于，本土8英寸产线2026年集体投产，成本再降30%；储能、超充、重卡三大增量市场同步爆发，单辆重卡SiC用量是乘用车的4倍。”卢克林认为，“挑战同样尖锐：衬底良率60%到80%每提升一个点需要6个月，设备、耗材、EDA等面临供应链安全隐患；欧美的碳边境税和IRA（美国《通胀削减法案》）补贴把供应链切成‘东西两块’，出口模块可能面临20%额外关税。能否把成本优势转化为标准话语权，是未来三年国产SiC的生死线。”
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